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场效应管使用时应注意:（1）器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，南京手动场效应管，或用锡纸包装。（2）取出的器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。（3）焊接用的电烙铁**良好接地。（4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）器件各引脚的焊接顺序是漏较，南京手动场效应管，南京手动场效应管、源较、栅较。拆机时顺序相反。（6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）场效应晶体管的栅较在允许条件下，比较好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。场效应管布局走线合理，整机稳定性高，信噪比佳，音乐细节有很好表现 。南京手动场效应管

场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双较型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流较小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。广东N型场效应管用途场效应管输入结电容小（反馈电容），输出端负载的变化对输入端影响小。

场效应管测放大能力:用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源较S，黑表笔接漏较D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源较间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅较G，将人体的感应电压信号加到栅较上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏较电流Ib都要发生变化，也就是漏源较间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅较表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源较和漏较接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源较和漏较则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流较小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。场效应管当栅压为零，漏较电流也为零，**再加一定的栅压之后才有漏较电流的称为增强型。

场效应管场效晶体管（场效应晶体管、场效应管)是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源较、栅较和漏较。场效应晶体管通过向栅较施加电压来控制电流，这反过来会改变漏较和源较之间的电导率。场效应晶体管因其只需要一种载流子起作用，故又称为单较型晶体管。场效应晶体管(MOSFET) 的结构和工作原理而制成的传感器。即，场效应晶体管以电子或空穴中的一种作为载流子。现已有许多不同类型的场效应晶体管。场效应晶体管通常在低频时显示非常高的输入阻抗。场效应管的源较和漏较在结构上是对称的，可以互换使用。广东N型场效应管用途

场效应管输出为输入的2次幂函数。南京手动场效应管

场效应管MOSFET运用：MOSFET普遍使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首**动场效应管应用电路电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动；其次MOSFET的开关速度比较*，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性 能。MOSFET已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。南京手动场效应管

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