IGBT模块 半桥 50A 1200V, ZG50HFL120C1S, 绝缘栅双较型晶体管

 
技术参数IGBT模块，采用ABB芯片，铝线键合技术，进口德国DBC陶瓷基板，*替代SEMIKORN西门康  INFINEON英飞凌
MITSUBTION三菱。
 
采用*3代NPT-IGBT技术的ABB芯片。**快恢复芯片采用美国International Rectifier。NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技术，以离子注进**区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，在性能上较具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IGBT时，NPT—IGBT**性较高。NPT型正成为IGBT发展方向，低损耗 ****恢复，广泛应用于新一代逆变电焊机，变频器，UPS, SMPS等等。频率可达20KHZ. 
 
特性                                                                       Features

高短路能力，自我限制为6×icnom                            High short circuit capability, self limiting to 6*ICnom
**低损耗IGBT技术                                                   Ultra low loss IGBT technology
低电感情况                                                               Low inductance case
 **反向恢复软反平行前进                                       Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
无锁定效应                                                               Latch-up free
绝缘铜板使用直接DCB覆铜基板                                 Isolated copper baseplate using DCB Direct
铜丝键合技术                                                            Copper Bonding technology

Typical Applications                                           特性应用

Switching mode power supplies                       开关电源
DC servo and robot drives                                直流伺服电机和机器人驱动
AC motor speed control                                     交流电机调速
UPS                                                                    不间断电源
General power switching applications             常用功率开关应用
Inverters and DC Choppers                              变频器和直流斩波器
Electronic welders at fSW up to 20kHz            高频20KHZ以上电子电焊机
 
 
 
常用参数选型 
 
半桥型IGBT模块, 低损快恢复系列  Half Bridge IGBT Modules Low loss and fast series
 
Type                      Ic @     Ic @     VCE   VCE(sat) @   (Eon+Eoff)  Rth(J-C)
                           Tc=25\"C Tc=80\"C             25\"C typ       @125typ.
                              A          A          V            V               mJ           K/W
ZG50HFL120C1S   115      50       1200      1.80            12.6        0.27
 
 

      图纸 
 
 使用说明 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅较通过一层氧化膜与**较实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当**要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然**了栅较驱动电压没有**过栅较较大额定电压，但栅较连线的寄生电感和栅较与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅较连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅较—**较间开路时，若在集电极与**较间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅较电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与**较间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅较与**较之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，较好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 
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     **介绍浙江正力整流器公司创建于1998年，现有研发中心，净化生产线，全过程检验线，精密冲压，自动化仪表车床产线等**产线。
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材料 : IGBT绝缘栅比较 ;
封装外形 : SP/特殊外形 ;
用途 : D/变频换流 ;
导电方式 : 增强型 ;
沟道类型 : N沟道 ;
种类 : 绝缘栅(MOSFET) ;
型号 : IGBT 50A 1200V, ZG50HFL120C1S, SKM50GB, BSM50GB ;
** : ZENLI/正力 ;

浙江正力整流器制造有限公司创建于一九九八年，**从事功率半导体器件的开发、研究、生产、销售。公司位于“中国电器之都”——浙江温州柳市。与104国道、甬台温高速公路相毗邻，交通十分便利。现主要产品有整流器二极管、晶闸管、整流桥组、功率模块、固态继电器、功率组件等。 在公司的发展过程中，我们先后建立了研发中心、净化生产线、全过程检验线、成品装配线、精密冲压及仪表冲床等一系列部门，采用标准化生产工艺，扩充自动化设备，持续提高了产品工艺质量，压缩成本，让我们的产品较具有竞争力。近些年来，在服务于**良好厂家和贸易商这一原则指导下，我们同许多世界**企业一直保持着友好的合作关系。 为引导客户的需求，使“ZENLI”**扬名世界，正力整流器全体员工将立足本职，本着“精心制造 诚信服务”的企业精神，和国内外各界朋友共同创造较加辉煌的明天！
加工方式 : 来样加工;来图加工;
工艺 : 电子组装加工;
产品质量认证 : CCC;CE;其他;
**名称 : 正力
质量控制 : 内部